이미지는 참조용입니다.
SI7960DP-T1-E3
+BOMMOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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제조업체실리콘 닉스
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제조업체 부품 #SI7960DP-T1-E3
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재고6575
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Vishay Siliconix |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 6.2A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 21mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
