STI11NM60ND

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STI11NM60ND

+BOM

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

  • 제조업체ST마이크로일렉트로닉스(주)

  • 제조업체 부품 #STI11NM60ND

  • 데이터시트 STI11NM60ND DataSheet

  • 재고2281

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier STMicroelectronics
Package / Case Tube
Series FDmesh™ II
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 850 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package I2PAK

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